2-й Симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"
2-й Симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"
2-й Симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"
Дата начала: 10.11.2010 Дата окончания: 12.11.2010 Место проведения: Россия, Санкт-Петербург | Сайт конференции http://www.ioffe.ru/lasers/ind~ |
Организаторы
- Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ им. Иоффе)
- Санкт-Петербургский академический университет — научно образовательный центр нанотехнологий РАН (СПб АУ НОЦНТ РАН )
Описание конференции
Основные направления:
* Полупроводниковые излучатели
o видимый и ультрафиолетовый диапазон
o инфракрасный диапазон
o терагерцовый диапазон излучения
* Мощные полупроводниковые излучатели
* Вертикально–излучающие лазеры, лазеры с микрорезонаторами, каскадные лазеры
* Физика полупроводниковых лазеров: спектры, усиление, высокоскоростные процессы, транспорт носителей заряда, квантовые эффекты.
* Методы получения наногетероструктур для полупроводниковых излучателей
* Диагностика наногетероструктур, срок службы полупроводниковых излучателей
* Применения полупроводниковых излучателей: связь, технология, медицина, хранение и считывание информации.
* Полупроводниковые излучатели
o видимый и ультрафиолетовый диапазон
o инфракрасный диапазон
o терагерцовый диапазон излучения
* Мощные полупроводниковые излучатели
* Вертикально–излучающие лазеры, лазеры с микрорезонаторами, каскадные лазеры
* Физика полупроводниковых лазеров: спектры, усиление, высокоскоростные процессы, транспорт носителей заряда, квантовые эффекты.
* Методы получения наногетероструктур для полупроводниковых излучателей
* Диагностика наногетероструктур, срок службы полупроводниковых излучателей
* Применения полупроводниковых излучателей: связь, технология, медицина, хранение и считывание информации.