IV Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем–2010» МЭС-2010
IV Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем–2010» МЭС-2010
IV Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем–2010» МЭС-2010
Дата начала: 04.10.2010 Дата окончания: 08.10.2010 Место проведения: Моск. обл., санаторий «Истра» | Сайт конференции http://www.mes-conference.ru/ |
Организаторы
- Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН)
- Московский государственный институт электронной техники (Технический университет)
- Московское Научно-техническое общество радиотехники, электроники и связи (МНТОРЭС) им. А. С. Попова
Описание конференции
Тематика:
Теоретические аспекты проектирования микро- и наноэлектронных систем (МЭС).
Методы и средства автоматизации проектирования микро- и наноэлектронных схем и систем (САПР CБИС).
Опыт разработки цифровых, аналоговых, цифро-аналоговых, радиотехнических функциональных блоков СБИС.
Системы на кристалле перспективной РЭА.
Выставка и презентация коммерческих продуктов.
Форум диссертационных работ.
Область интересов конференции включает (но не ограничена) следующие темы актуальных исследований проектирования СБИС и методов автоматизации проектирования СБИС:
Схемы и системы нанометровых технологий.
Системы на кристалле.
Проектирование цифровых СБИС.
Проектирование аналоговых и радиотехнических функциональных блоков СБИС.
Проектирование СБИС со смешанными сигналами.
Методы структурного синтеза аналоговых, цифровых и смешанных СБИС и СФ блоков.
Микромеханические системы.
Специализированные (стойкие к спецвоздействиям, фоточувствительные и т. п.) СБИС.
Фоточувствительные СБИС.
Методы цифровой обработки информации.
Методы высокоуровневого моделирования.
Методы логического синтеза и логического моделирования в САПР СБИС.
Методы электрического моделирования в САПР СБИС.
Методы аналогового и смешанного поведенческого моделирования.
Методы моделирования радиотехнических СБИС.
Методы генерации моделей для САПР СБИС.
Методы автоматического топологического проектирования в САПР СБИС.
Методы приборно-технологического моделирования.
Методы моделирования межсоединений.
Методы проектирования и моделирования новых приборных структур и схем наноэлектроники.
Проблемы образования и подготовки высококвалифицированных специалистов в области микро- и наноэлектроники.
Теоретические аспекты проектирования микро- и наноэлектронных систем (МЭС).
Методы и средства автоматизации проектирования микро- и наноэлектронных схем и систем (САПР CБИС).
Опыт разработки цифровых, аналоговых, цифро-аналоговых, радиотехнических функциональных блоков СБИС.
Системы на кристалле перспективной РЭА.
Выставка и презентация коммерческих продуктов.
Форум диссертационных работ.
Область интересов конференции включает (но не ограничена) следующие темы актуальных исследований проектирования СБИС и методов автоматизации проектирования СБИС:
Схемы и системы нанометровых технологий.
Системы на кристалле.
Проектирование цифровых СБИС.
Проектирование аналоговых и радиотехнических функциональных блоков СБИС.
Проектирование СБИС со смешанными сигналами.
Методы структурного синтеза аналоговых, цифровых и смешанных СБИС и СФ блоков.
Микромеханические системы.
Специализированные (стойкие к спецвоздействиям, фоточувствительные и т. п.) СБИС.
Фоточувствительные СБИС.
Методы цифровой обработки информации.
Методы высокоуровневого моделирования.
Методы логического синтеза и логического моделирования в САПР СБИС.
Методы электрического моделирования в САПР СБИС.
Методы аналогового и смешанного поведенческого моделирования.
Методы моделирования радиотехнических СБИС.
Методы генерации моделей для САПР СБИС.
Методы автоматического топологического проектирования в САПР СБИС.
Методы приборно-технологического моделирования.
Методы моделирования межсоединений.
Методы проектирования и моделирования новых приборных структур и схем наноэлектроники.
Проблемы образования и подготовки высококвалифицированных специалистов в области микро- и наноэлектроники.