VII Международная конференция и VI Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ-2010»
VII Международная конференция и VI Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ-2010»
VII Международная конференция и VI Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «КРЕМНИЙ-2010»
Дата начала: 06.06.2010 Дата окончания: 09.06.2010 Место проведения: Нижний Новгород | Сайт конференции http://si-2010.unn.ru/ |
Организаторы
- Институт физики микроструктур РАН
- Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
- Институт химии высокочистых веществ РАН
- Национальный исследовательский технологический университет «Московский институт стали и сплавов»
- Научный совет РАН «Физико-химические основы материаловедения полупроводников»
- Научный совет РАН по физике полупроводников
- Нижегородский фонд содействия образованию и исследованиям.
Описание конференции
Тематика:
Рост и материаловедение объемных кристаллов кремния и родственных материалов (Ge , SiGe);
Производство кремния для солнечной энергетики и структур на его основе;
Рост и материаловедение тонких (в том числе эпитаксиальных) пленок на кремнии, включая кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low- and high-k диэлектрики;
Физика кремниевых квантово-размерных структур твердотельной электроники, в том числе нано- и оптоэлектроники, спинтроники и фотоники;
Нанотехнологии кремниевой электроники, включая ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых точек и скрытых слоев;
Диагностика кремния и приборных структур на его основе;
Новые приборы, включающие элементы микромеханики, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающие структуры и фотоприемники.
Рост и материаловедение объемных кристаллов кремния и родственных материалов (Ge , SiGe);
Производство кремния для солнечной энергетики и структур на его основе;
Рост и материаловедение тонких (в том числе эпитаксиальных) пленок на кремнии, включая кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low- and high-k диэлектрики;
Физика кремниевых квантово-размерных структур твердотельной электроники, в том числе нано- и оптоэлектроники, спинтроники и фотоники;
Нанотехнологии кремниевой электроники, включая ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых точек и скрытых слоев;
Диагностика кремния и приборных структур на его основе;
Новые приборы, включающие элементы микромеханики, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающие структуры и фотоприемники.